XF-E 10 電界プローブ 30MHz〜6GHz

Langer社製のXF-E 10のプローブヘッド下部の電極は約0.2mm幅です。これにより、幅0.1mmの導体トラックや高極性ICの個々のICピンなど、最小の電界発生源を局在化させることができます。測定には、Eフィールドプローブをターゲットに設置します。

XF-E 10は、パッシブ型近接場プローブです。XF-E 04、XF-E 09プローブと基本設計は同じですが、XF-E 10の分解能は格段に向上しています。通常、プローブヘッドはターゲットに直接置かれます（電界強度が高い）。XF-E 04やXF-E 09のような遠距離での測定には適しません。近接場用プローブは小型でハンディタイプです。シース電流の減衰があり、上側は電気的にシールドされています。近接場プローブは、50 Ω入力のスペクトラムアナライザーまたはオシロスコープに接続されています。電界プローブは、内部に終端抵抗があります。

技術パラメーター

周波数範囲	30MHz～6GHz
分解能	≒0.2mm
プローブヘッド寸法	Ø≒（0.5×2）mm
コネクタ - 出力	SMA、メス、ジャック
周波数特性 [dBµV] / [dBµV/mm]
電界補正曲線 [dBµA/m] / [dBµV]
測定原理