RF-R 3-2 近傍磁界プローブ 30MHz～3GHz
Langer社製のRF-R 3-2近傍磁界プローブは、ICのピンやハウジングの周辺、導体走行、サポートコンデンサ、EMC部品など、アセンブリ上で直接RF磁場を高解像度で測定するために使用されます。
RF-R 3-2は、パッシブ型近傍磁界プローブです。RF-R 50-1、RF-R 400-1プローブと基本設計は同じですが、RF-R 3-2の分解能ははるかに高くなっています。近傍磁界プローブは、磁場強度の高い領域で部品に近い測定を行うのに適しています。RF-R 400-1やRF-R 50-1で行っているような、より遠距離での測定には適していません。近傍磁界用プローブは小型でハンディタイプです。シース電流の減衰があり、電気的にシールドされています。近傍磁界プローブは、50Ω入力のスペクトラムアナライザーまたはオシロスコープに接続されています。近傍磁界プローブは，内部に50Ωの終端抵抗を持っていません。
技術パラメーター
| 周波数範囲 | 30MHz～3GHz |
| 分解能 | ≒1mm |
| プローブヘッド寸法 | Ø≒3mm |
| コネクタ - 出力 | SMB、オス、ジャック |
| 周波数特性 [dBµV] / [dBµV/m] |  |
| 電界補正曲線 [dBµA/m] / [dBµV] |  |
| 電流補正曲線 [dBµA] / [dBµV] | |
| 測定原理 |  |