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MFA-K 0.1-12 近接場マイクロプローブ 100 MHz~6 GHz

MFA-R 0.2-75 近接場マイクロプローブ 1MHz~1GHz

MFA-K 0.1-12近接場マイクロプローブは、カップリングクランプのように機能する非常に小さなプローブヘッドを備えています。ICのピンや極細の導電路での電流測定が可能です。近接場マイクロプローブは、プローブヘッドから横方向に入る電界線から遮蔽されています。
ハンドガイド式の高分解能MFA-K 0.1-12は、アクティブな近接場マイクロプローブで、動作にはBT706バイアス・ティーが必要です。この近接場マイクロプローブは、特に信号導体(150 µm)やICピンの6 GHzまでの磁場を測定するために使用されます。原理的にはMFA-K 0.1-30と同じ構造で、周波数特性が異なるだけです。
特殊なプローブヘッドの設計により、隣接する導体などからプローブヘッドに横方向に衝突する磁界は検出されません。
コイルの向きは、プローブヘッドに黒いドットで表示されます。
アンプステージはプローブヘッドに内蔵されています。アンプステージ(9 V、100 mA)は、バイアスティーから給電されます。アンプステージのインピーダンスは50 Ωです。近接場マイクロプローブは、BT706バイアスティーを経由して50Ω入力のスペクトラムアナライザーやオシロスコープに接続されます。電源ユニットとバイアスティーは納品範囲に含まれています。
補正線により、プローブの出力電圧は、それぞれの磁界または導体を流れる電流に変換されます。
近接場マイクロプローブは、小型で手軽です。電流を減衰させるシースを持ち、電気的にシールドされています。

仕様

周波数範囲 100 MHz ... 6 GHz
分解能 200 µm
コネクタ - 出力 SMA、メス、ジャック
周波数特性[dBµV]/[dBµA/m]  
H-フィールド補正曲線 [dBµA/m] / [dBµV]
電流補正曲線[dBµA] / [dBµV]
測定原理

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