
XFS-E 10 スキャナープローブ
概要
XFS-E 10スキャナープローブのプローブヘッド内の電極は、幅約0.2 mmです。このプローブを使用すると、非常に小さな電界源も特定できます。例えば、幅0.1 mmの導電経路や、マルチピンICの単一ピンなどです。測定する際は、電界プローブを対象物に配置します。XFS-E 10 プローブはパッシブの近接場プローブです。通常、プローブヘッドは測定対象物の上に直接配置されます(高電界強度)。このプローブには電流を減衰させるシースがあり、したがって電気的にシールドされています。スペクトラムアナライザや50Ω入力のオシロスコープに接続することができます。Hフィールドスキャナープローブには内部終端抵抗があります。
テクニカルパラメーター
| 周波数帯 | 30 MHz ... 6 GHz |
| 解像度 | ≈ 0.2 mm |
| プローブヘッドの寸法: | ≈ (0.5 x 2) mm |
| コネクタ - 出力 | SMA, male, jack |
| 周波数応答 [dBµV] / [dBµA/m] | ![]() |
| E-フィールド補正曲線 [dBµV/mm] / [dBµV] | ![]() |
| 測定の原則 | ![]() |
システムインテグレーションサービス
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![Frequency response [dBµV] / [dBµA/m]](https://www.langer-emv.de/fileadmin/Bilder300/Disturbance%20emission_near%20field%20probe_XFS-E%2010_frequency%20response_en_wGM.png?v=1760624624922)
![E- field correction curve [dBµV/mm] / [dBµV]](https://www.langer-emv.de/fileadmin/Bilder300/Disturbance%20emission_scanner%20probe_XFS-E10_E-field%20correction%20curve_en_wGM.png?v=1760624624922)
