PB6600 SiC KGD テムテスト選別システム

 

PB6600 KGDテストシステムは、主にパワー半導体のDie-levelの静的および動的テストに使用され、チップの性能仕様に基づいたスクリーニングを行うことで、パッケージング後のモジュールの良品率を向上させることができます。

 

特徴

装置に分離設計を採用し、高い拡張性を実現

ローディングとアンローディング部分の処理装置はテスト部分から切り離され、拡張性が非常に高い

 

マルチチャンネルの並列テスト

最大で6つのテストステーションに対応し、各テストステーションは異なるテスト条件とテスト項目を同時に実施可能

 

動的および静的パラメトリック・テストに対応

2000V/600A静的テストと1200V/2000A動的テストに対応

 

正確なテスト結果

室温 ～200 ℃、精度＜±3℃、分解能 0.1℃

 

Hard Dockingを採用

 

窒素ガス圧力検知

プローブカードは密閉チャンバー設計を採用し、アークの発生を防止

 

UPHは1400pcsを超える

単一テストステーションのテスト時間≤1秒

パラメータ	仕様	备注
基本パラメータ	対応ベアダイサイズ	2.5*2.5mm-8*8mm
	適用可能ダイ厚さ	100-400μm
	総合搬送精度	±30μm
温度制御能力	温度範囲	室温~185℃
	温度分解能	0.1℃
	温度安定性	≤±3℃
視覚検査能力	外観検査精度	≥12μm	要求欠陥のイメージンググレースケールと周囲のコントラストが40 以上を超える
	欠陥検出プロジェクト	正面/背面：傷、汚れ、異物、爆点、欠け、崩れ	表面のスクラッチ、汚染、異物、バンプ欠陥、ならびに裏面のチッピング、欠け、汚染、スクラッチ、接着剤残渣などの欠陥検出に対応しています。欠陥判定しきい値は製品プロセスに応じて設定可能です。ソフトウェアにより欠陥位置のマーキングおよび欠陥画像の保存が可能です。
		側面：崩れた端	側面切断時のブラックライン検出に対応 （幅>12μm、長さ>30μm）、崩れ（深さ>30μm、幅>20μm）などの欠陥検出
安定性	MTBF	>168H
	MTBA	>2H
	MTTA	5 min
	MTTR	< 30 min
	落下率	≤0.01%
	破損率	≤0.01%	搬送による
	針痕の深さ	≤2μm
	ドレイン端子オープンケルビン	≤2Ω	TiNiAg材質
テスト効率	単一ダイ	≥1400	テスト時間≤1s

 

システムインテグレーションサービス

ペリテックは、各種センサ、信号変換モジュール、リレー、通信機器などを活用し、お客様の計測・制御システムを最適に構成します。機器単体の提供にとどまらず、以下を含む一貫したシステムインテグレーションサービスを提供します。

• システム構成設計・機器選定支援
• LabVIEW・PXI・CompactDAQなど計測プラットフォームとの統合
• 制御盤設計・製作
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• 現地導入・調整・保守対応

ペリテックの技術力と経験を活かし、試験・計測・制御システム全体の構築をサポートします。