MFA-K 0.1-30 近接場マイクロプローブ 1MHz～1GHz

MFA-K 0.1-30近接場マイクロプローブは、カップリングクランプのように機能する非常に小さなプローブヘッドを備えています。ICのピンや極細の導電路での電流測定が可能です。近接場マイクロプローブは、プローブヘッドから横方向に入る電界線から遮蔽されています。
ハンドガイド式の高分解能MFA-K 0.1-30は、アクティブな近接場マイクロプローブで、動作にはBT706バイアス・ティーが必要です。この近接場マイクロプローブは、特に信号導体（150 µm）やICピンの1GHzまでの磁界測定に使用されます。
原理的にはMFA-K 0.1-12と同じ構造で、周波数特性が異なるだけです。
特殊なプローブヘッドの設計により、隣接する導体などからプローブヘッドに横方向に衝突する磁界は検出されません。
コイルの向きは、プローブヘッドに黒いドットで表示されます。
アンプステージはプローブヘッドに内蔵されています。アンプステージ（9 V、100 mA）は、バイアスティーから給電されます。アンプステージのインピーダンスは50 Ωです。近接場マイクロプローブは、BT706バイアスティーを経由して50Ω入力のスペクトラムアナライザーやオシロスコープに接続されます。電源ユニットとバイアスティーは納品範囲に含まれています。
補正線により、プローブの出力電圧は、それぞれの磁界または導体を流れる電流に変換されます。
近接場マイクロプローブは、小型で手軽です。電流を減衰させるシースを持ち、電気的にシールドされています。

仕様

周波数範囲	1 MHz ... 1 GHz
分解能	200 µm
コネクタ - 出力	SMA、メス、ジャック
周波数特性［dBµV］／［dBµA/m］
H-フィールド補正曲線 [dBµA/m] / [dBµV]
電流補正曲線[dBµA] / [dBµV]
測定原理